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发明公开
半导体装置审中-实审

公开(公告)号：CN119812146A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411181330.5

申请日：2024-08-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 东哲矢 , 小西和也 , 大塚翔瑠

IPC: H01L23/48 , H01L21/768 , H10D84/40

Abstract: 本发明的半导体装置能够抑制在半导体装置的接触部形成空隙。半导体装置(100)具备：半导体基板，其形成有多个沟槽(8)；层间绝缘膜(4)，其形成在半导体基板上；接触孔(50)，其形成于层间绝缘膜(4)；以及电极(6)，其通过接触孔(50)而与半导体基板的沟槽(8)间的部分亦即半导体台面部(51)连接。接触孔(50)的侧壁是至少具有一阶台阶的阶梯状。接触孔(50)的底部位于半导体台面部(51)上，接触孔(50)的上端部位于半导体台面部(51)的外侧的位置。

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