公开(公告)号：CN1122015A

公开(公告)日：1996-05-08

申请号：CN95105913.0

申请日：1995-05-30

Applicant: 三田工业株式会社

Inventor： 宫本荣一 ,  武藤成昭 ,  角井干男 ,  住田圭介 ,  深见季之 ,  山里一郎 ,  上垣内寿和 ,  田中裕二

IPC: G03G5/06

CPC classification number: C07C217/92 ,  C07C211/54 ,  C07C255/58 ,  G03G5/0614

Abstract: 本发明提供作为电荷转移材料特别是空穴转移材料的新的间苯二胺衍生物和具有高光敏性的电光敏材料。上述衍生物包括由上述通式(1)表示的化合物。电光敏材料包括在导电基底上的含有作为空穴转移材料的间苯二胺衍生物的光敏层。(式中R1和R2相同或不同，表示氢或可含有取代基的烷基；R3和R4相同或不同，表示含有3至5个碳原子的直链或支链的烷基；条件是R1、R2、R3和4不同时是相同的烷基)。

公开(公告)号：CN1144919A

公开(公告)日：1997-03-12

申请号：CN95106310.3

申请日：1995-05-31

Applicant: 三田工业株式会社

Inventor： 辻田充司 ,  田中作白 ,  田中裕二 ,  寺田幸史 ,  寺田卓司

IPC: G03G15/02

CPC classification number: G03G15/5037 ,  G03G15/0266

Abstract: 本发明成像装置由下列构件组成：包括可旋转的感光构件；充电器件；电荷去除器件；光辐射装置用于辐射光到处于由充电器件充电状态下的感光膜层的充电区域，并用于调节所辐射的光量；曝光器件；显影器件；变化量检测器件，用于检测感光膜层的充电电势和感光膜层灵敏度其中至少一个的变化量；以及补偿装置，由光辐射器件根据变化量检测器件所测得的结果，通过调整向充电区域所辐射的光量来补偿变化量。