真空沉积装置和使用该真空沉积装置的真空沉积方法

    公开(公告)号:CN102465252B

    公开(公告)日:2015-01-21

    申请号:CN201110115766.0

    申请日:2011-04-28

    Abstract: 提供了一种将沉积物质沉积到基片中除未涂覆部分之外的涂覆部分的真空沉积装置和使用该真空沉积装置的真空沉积方法。所述真空沉积装置包括:辊筒,在真空腔内支撑具有涂覆部分和未涂覆部分的基片的连续移动;沉积源,安装在所述辊筒的对立侧以向所述涂覆部分提供沉积物质;掩模,在所述沉积源的开口与所述辊筒之间移动时阻断沉积物质从所述沉积源向所述涂覆部分移动;检测传感器,检测在移动的基片上设置的第一参考点和第二参考点;控制器,根据基于第一参考点和第二参考点计算得出的并且在所述掩模上设置的第三参考点和第四参考点是否分别对应于第一参考点和第二参考点来控制所述基片和所述掩模的移动,以便将沉积物质沉积到所述涂覆部分。

    连续沉积装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102644059A

    公开(公告)日:2012-08-22

    申请号:CN201110347681.5

    申请日:2011-11-07

    Abstract: 本发明公开了一种在正或负电极板上形成活性材料层和非涂覆部分的连续沉积装置。该连续沉积装置包括:第一引导鼓,接触从拆卷机供应的电极集电器的第一表面,以支撑电极集电器;第一沉积源,邻近第一引导鼓以将活性材料供应到在第一引导鼓上传递的电极集电器;第一遮蔽单元,遮蔽在第一引导鼓上传递的电极集电器的部分以形成非涂覆部分;第一驱动单元,连接到第一遮蔽单元以使第一遮蔽单元沿第一引导鼓的外表面往复移动;第一引导单元,邻近且连接到第一遮蔽单元以支持第一遮蔽单元的移动;以及第二驱动单元,连接到第一引导单元以使第一引导单元在一方向上水平地往复移动,该方向垂直于通过第一驱动单元移动的第一遮蔽单元的移动方向。

    制造二次电池的方法
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106356493B

    公开(公告)日:2021-03-12

    申请号:CN201610561723.8

    申请日:2016-07-15

    Abstract: 提供一种制造二次电池的方法,所述方法包括:通过使用包括第一突出尖部的第一焊头将电极组件的第一电极板和第一电极接线片超声焊接到彼此;通过使用包括第二突出尖部的第二焊头将电极组件的第二电极板和第二电极接线片超声焊接到彼此,第二突出尖部的设置方向不同于第一突出尖部的设置方向;以及通过在第一电极板与第二电极板之间布置隔板来准备电极组件。

    用于电极活性材料的气相沉积系统

    公开(公告)号:CN102683643A

    公开(公告)日:2012-09-19

    申请号:CN201210060217.2

    申请日:2012-03-08

    Abstract: 本发明提供一种用于电极活性材料的气相沉积系统,其能够在通过沉积在电极板上涂覆电极活性材料的过程中防止气相沉积源被用于形成非涂覆部分的遮罩污染。该气相沉积系统包括:拆卷机,供应电极板;卷绕机,卷绕电极板;引导鼓,引导要被传送的电极板;遮罩,成形为具有一预定宽度的圆筒,具有以规则间隔形成的多个狭缝,并在引导鼓下方旋转;气相沉积源,位于遮罩中并喷射电极活性材料到电极板上;防粘附板,形成为板形,并位于遮罩中气相沉积源下方;以及加热器,位于防粘附板下方。

    真空沉积装置和使用该真空沉积装置的真空沉积方法

    公开(公告)号:CN102465252A

    公开(公告)日:2012-05-23

    申请号:CN201110115766.0

    申请日:2011-04-28

    Abstract: 提供了一种将沉积物质沉积到基片中除未涂覆部分之外的涂覆部分的真空沉积装置和使用该真空沉积装置的真空沉积方法。所述真空沉积装置包括:辊筒,在真空腔内支撑具有涂覆部分和未涂覆部分的基片的连续移动;沉积源,安装在所述辊筒的对立侧以向所述涂覆部分提供沉积物质;掩模,在所述沉积源的开口与所述辊筒之间移动时阻断沉积物质从所述沉积源向所述涂覆部分移动;检测传感器,检测在移动的基片上设置的第一参考点和第二参考点;控制器,根据基于第一参考点和第二参考点计算得出的并且在所述掩模上设置的第三参考点和第四参考点是否分别对应于第一参考点和第二参考点来控制所述基片和所述掩模的移动,以便将沉积物质沉积到所述涂覆部分。

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