公开(公告)号：CN103050568A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201210371153.8

申请日：2012-09-28

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴商镇 ,  宋珉澈 ,  朴省赞 ,  金东燮 ,  金元均 ,  徐祥源

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L21/223 ,  H01L21/2255 ,  H01L21/2256 ,  H01L21/268 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括：提供具有第一导电类型的半导体基底；执行第一沉积工艺，所述第一沉积工艺包括形成具有与第一导电类型不同的第二导电类型的第一掺杂材料层；执行推阱工艺，所述推阱工艺包括将其上具有第一掺杂材料层的基底进行加热；在执行推阱工艺之后执行第二沉积工艺，第二沉积工艺包括在第一掺杂材料层上形成第二掺杂材料层，其中，第二掺杂材料层具有第二导电类型；用激光将基底、第一掺杂材料层和第二掺杂材料层的部分进行局部加热，从而在基底的第一表面处形成接触层；以及在接触层上形成第一电极，并在基底的与第一表面相对的第二表面上形成第二电极。

公开(公告)号：CN103811572A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310560386.7

申请日：2013-11-12

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 姜允默 ,  朴商镇 ,  李斗烈 ,  金亨基 ,  牟灿滨 ,  朴暎相 ,  徐京真 ,  金珉圣 ,  洪俊基 ,  任兴均 ,  宋珉澈 ,  朴省赞 ,  金东燮

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/065 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/022466

Abstract: 本发明提供了一种光电装置及其制造方法。该光电装置包括：半导体基底，包括单晶硅并具有彼此相反的第一表面和第二表面；掺杂单元，形成在半导体基底的第一表面上；以及绝缘层，形成在掺杂单元和半导体基底的第二表面之间，其中，掺杂单元包括第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层包括掺杂在单晶硅中的第一掺杂剂，第二半导体层包括掺杂在单晶硅中的第二掺杂剂。

公开(公告)号：CN103137786A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210452024.1

申请日：2012-11-13

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金太俊 ,  宋珉澈 ,  姜允默 ,  任兴均

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 公开了制造光伏装置的方法以及使用该方法制造的光伏装置。该方法包括：使用第一杂质在半导体基底上形成第一导电类型半导体层；使用激光对第一导电类型半导体层的区域执行掺杂，使得第一导电类型半导体层的所述区域与第一导电类型半导体层的剩余区域相比具有更高浓度的第一杂质；执行边缘隔离，以在半导体基底的后表面的边缘部分形成凹槽部分；在半导体基底的前表面上形成抗反射层；在半导体基底的前表面上形成第一金属电极；以及在半导体基底的后表面上形成第二金属电极和第二导电类型半导体层，第二导电类型半导体层包含与第一杂质不同的第二杂质。