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发明公开
掩模工艺校正方法和使用其制造光刻掩模的方法审中-实审

公开(公告)号：CN115774376A

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN202211065588.X

申请日：2022-09-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： S·申 , 金岷娥 , 崔振

IPC: G03F1/70 , G03F1/36

Abstract: 提供制造光刻掩模的方法和准备掩模数据的方法。制造光刻掩模的方法包括对掩模流片(MTO)设计布局执行掩模工艺校正(MPC)。执行MPC可包括识别多个单位单元(各自在MTO设计布局中迭代并且包括多个曲线图案)，并且对多个单位单元中的至少一个执行基于模型的MPC。这些方法还可包括基于执行了MPC的MTO设计布局来执行电子束曝光。对多个单位单元中的至少一个执行基于模型的MPC可基于多个曲线图案的纵横比、大小、弯曲边缘的曲率、密度和占空比中的至少一个。

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