公开(公告)号：CN105577133B

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201510526611.4

申请日：2015-08-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴建新 ,  于晓华 ,  孙祥源 ,  N.阿勒里

IPC: H03G3/20 ,  H03F3/45

CPC classification number: H03F3/193 ,  H03F3/45188 ,  H03F2200/213 ,  H03F2200/294 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/546 ,  H03F2203/45464 ,  H03F2203/45466 ,  H03F2203/45548

Abstract: 提供一种用于载波聚合和非载波聚合的低噪声放大器。所述低噪声放大器包括：多个对称半电路；多个偏置电路，其中所述多个偏置电路中的每一个连接到所述多个对称半电路中的一个；多个电容，其中所述多个电容中的每一个连接到所述多个对称半电路中的一个以便交流AC耦合包含至少一个分量载波的RF信号；以及控制逻辑电路，连接到所述多个对称半电路中的每一个以便将低噪声放大器配置为处理一个分量载波或多个分量载波。

公开(公告)号：CN105577133A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201510526611.4

申请日：2015-08-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴建新 ,  于晓华 ,  孙祥源 ,  N.阿勒里

IPC: H03G3/20 ,  H03F3/45

CPC classification number: H03F3/193 ,  H03F3/45188 ,  H03F2200/213 ,  H03F2200/294 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/546 ,  H03F2203/45464 ,  H03F2203/45466 ,  H03F2203/45548

Abstract: 提供一种用于载波聚合和非载波聚合的低噪声放大器。所述低噪声放大器包括：多个对称半电路；多个偏置电路，其中所述多个偏置电路中的每一个连接到所述多个对称半电路中的一个；多个电容，其中所述多个电容中的每一个连接到所述多个对称半电路中的一个以便交流AC耦合包含至少一个分量载波的RF信号；以及控制逻辑电路，连接到所述多个对称半电路中的每一个以便将低噪声放大器配置为处理一个分量载波或多个分量载波。