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公开(公告)号：CN113299659A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202011538276.7
申请日：2020-12-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582
Abstract: 可以提供一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底，其包括单元阵列区和贯通电极区；电极堆叠件，其位于衬底上，并且包括电极；竖直结构，其在单元阵列区内穿过电极堆叠件；竖直护板结构，其位于延伸区内，并且围绕贯通电极区；以及绝缘层，其位于由竖直护板结构限定的周边内部，并且与位于电极同一水平。电极可以包括第一突起，其在平面图中在竖直护板结构之间突出。
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