公开(公告)号：CN110235301A

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201780085292.5

申请日：2017-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： A.R.维伦斯基 ,  E.A.谢佩列娃 ,  G.A.叶夫秋什金 ,  M.N.马库林

IPC: H01P1/10

Abstract: 高频装置和/或包括其的高频开关可以包括：信号电极；第一接地电极，与信号电极平行地设置；第一液晶层，设置在信号电极和第一接地电极之间；以及第一电介质层，设置在第一液晶层和第一接地电极之间和/或设置在信号电极和第一液晶层之间。第一电介质层可以具有比第一液晶层的介电常数大的介电常数。可以各种各样地实现高频装置和/或包括其的高频装置。

公开(公告)号：CN110235301B

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN201780085292.5

申请日：2017-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： A.R.维伦斯基 ,  E.A.谢佩列娃 ,  G.A.叶夫秋什金 ,  M.N.马库林

IPC: H01P1/10

Abstract: 高频装置和/或包括其的高频开关可以包括：信号电极；第一接地电极，与信号电极平行地设置；第一液晶层，设置在信号电极和第一接地电极之间；以及第一电介质层，设置在第一液晶层和第一接地电极之间和/或设置在信号电极和第一液晶层之间。第一电介质层可以具有比第一液晶层的介电常数大的介电常数。可以各种各样地实现高频装置和/或包括其的高频装置。