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公开(公告)号：CN101387802B
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN200810166498.3
申请日：1998-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L21/84 , H01L27/12
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/136213 , H01L27/1255
Abstract: 一种液晶显示装置及其制造方法和驱动方法，液晶显示装置包括：一绝缘衬底；一硅层，形成于衬底上；一栅极绝缘膜，覆盖硅层；一栅电极，形成于栅极绝缘膜上；和一存储电极，形成于栅极绝缘膜上，其中硅层包括一掺杂的源极区、一掺杂的漏极区、位于源极区和漏极区之间的未掺杂的沟道区、邻接沟道区且与其隔开的未掺杂的存储区以及邻接存储区而接至漏极区的第一掺杂区，其中存储电极位于存储电极的对面。
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公开(公告)号：CN1383214A
公开(公告)日：2002-12-04
申请号：CN01133118.6
申请日：2001-09-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/136
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F1/136227 , G02F2001/136236 , H01L27/1214
Abstract: 本发明公开了一种用于LCD的多晶硅TFT及其制造方法。TFT包括成型在基板上的有效构图,成型在包括有效构图的基板上的栅绝缘层,成型在栅绝缘层上而横穿该有效构图且包括用于确定第一杂质区、第二杂质区和沟道区的栅电极的栅线,成型在包括栅线的栅绝缘层上的绝缘中间层,成型在绝缘中间层上且通过第一接触孔与第二杂质区相连的数据线,以及形成在与数据线相同的绝缘中间层上且通过第二接触孔与第一杂质区相连的象素电极,其中第一接触孔通过栅绝缘层和绝缘中间层成型在第二杂质区上,第二接触孔通过栅绝缘层和绝缘中间层成型在第一杂质区上。掩膜的数量可以减少到5或6张,因而简化了生产工艺。
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公开(公告)号：CN1224887A
公开(公告)日：1999-08-04
申请号：CN98127172.3
申请日：1998-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G09F9/35
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/136213 , H01L27/1255
Abstract: 一种液晶显示装置及其制造方法和驱动方法,在绝缘衬底上形成存储电容的源电极和金属图案,衬底上形成具有掺杂的源极区和漏极区的硅层且源极区和漏极区直接与源电极和金属图案接触,其上形成栅极绝缘膜并在栅极绝缘膜上与金属图案相对形成存储电极。在存储电极上形成钝化膜及其上形成像素电极,像素电极直接与漏极区或金属图案连接。
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公开(公告)号：CN1550838B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200410062132.3
申请日：1998-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/133 , G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/00
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/136213 , H01L27/1255
Abstract: 一种液晶显示装置及其制造方法和驱动方法，液晶显示装置包括：一绝缘衬底；一硅层，形成于衬底上；一栅极绝缘膜，覆盖硅层；一栅电极，形成于栅极绝缘膜上；和一存储电极，形成于栅极绝缘膜上，其中硅层包括一掺杂的源极区、一掺杂的漏极区、位于源极区和漏极区之间的未掺杂的沟道区、邻接沟道区且与其隔开的未掺杂的存储区以及邻接存储区而接至漏极区的第一掺杂区，其中存储电极位于存储电极的对面。
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公开(公告)号：CN100595657C
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200410062130.4
申请日：1998-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/136213 , H01L27/1255
Abstract: 一种液晶显示装置及其制造方法和驱动方法，液晶显示装置包括：一绝缘衬底；第一金属图案，形成于衬底上；第二金属图案，由与第一金属图案相同的层制成，并且与第一金属图案隔开；一硅层，形成于第一金属图案和第二金属图案之上，包括分别接至第一金属图案和第二金属图案的一源极区和一漏极区；一栅极绝缘膜，覆盖硅层；一栅电极，形成于栅极绝缘层上，并且位于源极区和漏极区之间；和一存储电极，形成于栅极绝缘膜上，并且位于第二金属图案对面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1173218C
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN98127172.3
申请日：1998-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/136213 , H01L27/1255
Abstract: 一种液晶显示装置及其制造方法和驱动方法，在绝缘衬底上形成存储电容的源电极和金属图案，衬底上形成具有掺杂的源极区和漏极区的硅层且源极区和漏极区直接与源电极和金属图案接触，其上形成栅极绝缘膜并在栅极绝缘膜上与金属图案相对形成存储电极。在存储电极上形成钝化膜及其上形成像素电极，像素电极直接与漏极区或金属图案连接。
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公开(公告)号：CN100595658C
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200410062131.9
申请日：1998-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/136213 , H01L27/1255
Abstract: 一种液晶显示装置及其制造方法和驱动方法，液晶显示装置包括：一绝缘衬底；一硅层，形成于衬底上，并且包括一源极区和一漏极区以及位于源极区与漏极区之间的沟道区；一栅极绝缘膜，覆盖硅层；一栅电极和一存储电极，它们形成于栅极绝缘膜上；一个层间绝缘膜，它覆盖栅电极和存储电极，具有位于存储电极之上的第一部分，该第一部分的厚度比层间绝缘膜其余部分的厚度小；以及一像素电极，它接至漏极区，并且形成于存储电极对面的层间绝缘膜之上。
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公开(公告)号：CN1258230C
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN01133118.6
申请日：2001-09-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/136
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F1/136227 , G02F2001/136236 , H01L27/1214
Abstract: 本发明公开了一种用于LCD的多晶硅TFT及其制造方法。TFT包括成型在基板上的有效构图，成型在包括有效构图的基板上的栅绝缘层，成型在栅绝缘层上而横穿该有效构图且包括用于确定第一杂质区、第二杂质区和沟道区的栅电极的栅线，成型在包括栅线的栅绝缘层上的绝缘中间层，成型在绝缘中间层上且通过第一接触孔与第二杂质区相连的数据线，以及形成在绝缘中间层上、由与数据线相同的材料成型且通过第二接触孔与第一杂质区相连的象素电极，其中第一接触孔通过栅绝缘层和绝缘中间层成型在第二杂质区上，第二接触孔通过栅绝缘层和绝缘中间层成型在第一杂质区上。掩膜的数量可以减少到5或6张，因而简化了生产工艺。
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公开(公告)号：CN1550838A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410062132.3
申请日：1998-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/133 , G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/00
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/136213 , H01L27/1255
Abstract: 一种液晶显示装置及其制造方法和驱动方法，液晶显示装置包括：一绝缘衬底；一硅层，形成于衬底上；一栅极绝缘膜，覆盖硅层；一栅电极，形成于栅极绝缘膜上；和一存储电极，形成于栅极绝缘膜上，其中硅层包括一掺杂的源极区、一掺杂的漏极区、位于源极区和漏极区之间的未掺杂的沟道区、邻接沟道区且与其隔开的未掺杂的存储区以及邻接存储区而接至漏极区的第一掺杂区，其中存储电极位于存储电极的对面。
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公开(公告)号：CN101387802A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200810166498.3
申请日：1998-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L21/84 , H01L27/12
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/136213 , H01L27/1255
Abstract: 一种液晶显示装置及其制造方法和驱动方法，液晶显示装置包括：一绝缘衬底；一硅层，形成于衬底上；一栅极绝缘膜，覆盖硅层；一栅电极，形成于栅极绝缘膜上；和一存储电极，形成于栅极绝缘膜上，其中硅层包括一掺杂的源极区、一掺杂的漏极区、位于源极区和漏极区之间的未掺杂的沟道区、邻接沟道区且与其隔开的未掺杂的存储区以及邻接存储区而接至漏极区的第一掺杂区，其中存储电极位于存储电极的对面。
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