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公开(公告)号：CN119833510A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202410924382.0
申请日：2024-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L23/532 , H01L21/762
Abstract: 提供了一种集成电路器件及其制造方法。该集成电路器件包括：衬底，具有多个有源区；位线，在衬底上在平行于衬底的上表面的水平方向上延伸；直接接触，电连接到所述多个有源区的第一有源区并且电连接到位线；接触插塞，电连接到所述多个有源区的与第一有源区相邻的第二有源区；以及外绝缘间隔物，在位线和接触插塞之间并且在垂直于衬底的上表面的垂直方向上与位线重叠。外绝缘间隔物包括掺有金属元素的掺杂区。
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