公开(公告)号：CN111430462B

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202010000962.2

申请日：2020-01-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋宇彬 ,  金会承 ,  M·坎托罗 ,  李相遇 ,  赵珉熙 ,  黄汎佣

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H01L21/34

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：沟道层，位于基底上，沟道层包括导电氧化物；栅极结构，位于沟道层上，栅极结构包括栅电极和位于栅电极的两个侧壁上的栅极间隔件；以及源区和漏区，在距沟道层的顶表面具有第一高度的凹进区域中位于栅极结构的两侧上。源区和漏区被构造为向沟道层的位于栅极结构下方的部分施加拉应力。

公开(公告)号：CN111430462A

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN202010000962.2

申请日：2020-01-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋宇彬 ,  金会承 ,  M·坎托罗 ,  李相遇 ,  赵珉熙 ,  黄汎佣

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H01L21/34

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：沟道层，位于基底上，沟道层包括导电氧化物；栅极结构，位于沟道层上，栅极结构包括栅电极和位于栅电极的两个侧壁上的栅极间隔件；以及源区和漏区，在距沟道层的顶表面具有第一高度的凹进区域中位于栅极结构的两侧上。源区和漏区被构造为向沟道层的位于栅极结构下方的部分施加拉应力。