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公开(公告)号：CN119275215A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202410893950.5
申请日：2024-07-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/552 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/498 , H01L23/538 , H01L23/488
Abstract: 一种半导体封装件包括：衬底；衬底上的第一半导体芯片；第一半导体芯片上的散热结构；第一半导体芯片与散热结构之间的粘合剂层；散热结构上的第二半导体芯片；在衬底上并且覆盖第一半导体芯片的至少一部分、散热结构的至少一部分和第二半导体芯片的至少一部分的模制膜；以及模制膜的上表面和侧壁上的屏蔽层，其中，屏蔽层包括延伸至第一孔中并且接触第一半导体芯片的上表面的第一部分，第一孔可穿透模制膜、散热结构和粘合剂层。
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