公开(公告)号：CN112018135A

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN202010242010.1

申请日：2020-03-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金美静 ,  卢淑英 ,  尹鉐皓 ,  金一焕 ,  金炯俊 ,  赵重根

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

Abstract: 公开了一种组合结构、光学过滤器、图像传感器、相机模块以及包括组合结构、光学过滤器、图像传感器和相机模块的电子装置。该组合结构包括：纳米结构阵列，包括重复地布置的具有比近红外波长小的尺寸的多个纳米结构；以及光吸收部分，与纳米结构阵列相邻并包括配置为吸收近红外波长区域的至少一部分中的光的近红外吸收材料。

公开(公告)号：CN118689036A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410322282.0

申请日：2024-03-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昶宪 ,  高行德 ,  郭允铉 ,  金美静 ,  李善英 ,  林圭铉 ,  全震洹 ,  蔡贞厦 ,  韩盛现

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/027

Abstract: 提供抗蚀剂组合物和使用其形成图案的方法，其中所述抗蚀剂组合物可包括由下式1表示的有机金属化合物、和包括由下式2表示的重复单元的聚合物。对于式1和式2中的M11、R11、R12、n、A21、L21至L23、a21至a23、R21至R22、b22和p的描述，参见说明书。式1M11(R11)n(OR12)(4‑n)式2#imgabs0#

公开(公告)号：CN107039098B

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201611010091.2

申请日：2016-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金美静 ,  郭灿 ,  金正华 ,  高东秀 ,  金光熙 ,  金地玴

IPC: H01B1/02 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  G06F3/041 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 公开银纳米线的群、其制造方法、包括其的电导体和电子装置。所述电导体包括：基底；和设置在所述基底上并且包括多个银纳米线的导电层，其中所述银纳米线在其X射线衍射光谱中呈现归属于(111)晶面的主峰，且在高斯拟合之后的所述主峰的2θ半宽度(FWHM)小于约0.40度。

公开(公告)号：CN119684351A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202411326830.3

申请日：2024-09-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全震洹 ,  高行德 ,  郭允铉 ,  金美静 ,  李善英 ,  李昶宪 ,  林圭铉 ,  蔡贞厦 ,  河旻永

IPC: C07F7/22 ,  G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 提供有机金属化合物、包括其的抗蚀剂组合物和使用所述抗蚀剂组合物的图案形成方法，所述有机金属化合物由式1‑1至1‑4之一表示，式1‑1至1‑4中的M11、Q11至Q14、b11至b14、R11至R14、Y11至Y13、和X11至X13如说明书中所描述的。#imgabs0#

公开(公告)号：CN118255802A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311214564.0

申请日：2023-09-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩盛现 ,  高行德 ,  郭允铉 ,  金璟梧 ,  金美静 ,  李在俊 ,  李河燮 ,  林圭铉 ,  洪锡九

IPC: C07F7/22 ,  G03F7/004

Abstract: 提供有机金属化合物、包括其的抗蚀剂组合物和使用其的图案形成方法，所述有机金属化合物由下式1‑1至1‑4之一表示。对于式1‑1至1‑4中的M11、L11‑L14、a11‑a14、R11‑R14、X11‑X14、n11‑n15、Y11‑Y13、和R15‑R17的描述，参见说明书。#imgabs0#

公开(公告)号：CN119937244A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202411572488.5

申请日：2024-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡贞厦 ,  高行德 ,  郭允铉 ,  金美静 ,  李善英 ,  李智娟 ,  李昶宪 ,  全震洹

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/027

Abstract: 提供抗蚀剂组合物和使用其的图案形成方法，所述抗蚀剂组合物包括由式1‑1至1‑4之一表示的第一有机金属化合物和由式2表示的第二有机金属化合物：其中式1‑1至1‑4和2中的M11、M21、L11至L14、L21至L24、a11至a14、a21至a24、R11至R14、R21至R24、b11至b14、b21至b24、Y11至Y13、和X11至X13如说明书中所描述的。#imgabs0#式2#imgabs1#

公开(公告)号：CN113658964A

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN202110458032.6

申请日：2021-04-27

Applicant: 三星电子株式会社 ,  韩国航空大学校产学协力团

Inventor： 金美静 ,  黄珍荣 ,  赵重根 ,  金惠兰

IPC: H01L27/146 ,  H04N3/14 ,  H04N5/335

Abstract: 公开了滤光器、图像传感器、相机和电子装置。该滤光器包括包含第一材料的近红外吸收层，第一材料配置为吸收属于近红外波长谱的第一波长谱中的光。该滤光器包括与近红外吸收层相邻的补偿层，补偿层包括与第一材料不同的第二材料。该滤光器包括通过补偿层与近红外吸收层间隔开的超材料结构，超材料结构配置为吸收或反射与第一波长谱至少部分地重叠的第二波长谱中的光。

公开(公告)号：CN112447784A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010903530.2

申请日：2020-09-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵重根 ,  金美静 ,  金炯俊 ,  金惠兰

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/148 ,  H04N5/225

Abstract: 一种组合结构包括单位单元的面内图案，其中每个单位单元包括纳米结构和光吸收层，每个纳米结构具有比近红外波长小的尺寸，该光吸收层与纳米结构相邻并包括配置为吸收近红外波长光谱的至少一部分中的光的近红外吸收材料。纳米结构在单位单元中限定纳米结构阵列，并且组合结构的在近红外波长光谱中的透射光谱的在50％透射率处的波长宽度比纳米结构阵列的在近红外波长光谱中的透射光谱的在50％透射率处的波长宽度宽。

公开(公告)号：CN118259546A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311459037.6

申请日：2023-11-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高行德 ,  郭允铉 ,  金美静 ,  金旻相 ,  李善英 ,  李昶宪 ,  林圭铉 ,  蔡贞厦 ,  韩盛现

IPC: G03F7/004

Abstract: 提供抗蚀剂组合物和通过使用其形成图案的方法，所述抗蚀剂组合物包括：由式1表示的有机金属化合物；和包括含有产生自由基的基团的重复单元、含有接受自由基的基团的重复单元、或其任意组合的聚合物。式1中的R11、R12和n的描述提供于说明书中。式1Sn(R11)n(OR12)(4‑n)。

公开(公告)号：CN118259545A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311456231.9

申请日：2023-11-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高行德 ,  郭允铉 ,  金美静 ,  南煐敏 ,  安赞在 ,  李昶宪 ,  林圭铉 ,  崔诚原 ,  韩盛现

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/027

Abstract: 提供抗蚀剂组合物和使用其的图案形成方法。所述抗蚀剂组合物可包括由下式1表示的有机金属化合物和由下式2表示的重复单元的聚合物。在式1和2中，M11、R11、R12、n、A21、L21‑L24、a21‑a24、R21、R22、b22、p、和X21的描述参考说明书。 M11(R11)n(OR12)(4‑n) #imgabs0#。