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公开(公告)号:CN1641483A
公开(公告)日:2005-07-20
申请号:CN200410081932.X
申请日:2004-12-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H05K3/185 , C23C18/1608 , C23C18/1612 , C23C18/1651 , C23C18/1653 , C23C18/204 , C23C18/208 , C23C18/30 , C23C18/36 , C23C18/405 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种用于形成低电阻率金属图案的方法。该方法包含以下步骤:(i)将光催化化合物涂布到衬底上以形成光催化薄膜层;(ii)将水溶性聚合物涂布到光催化薄膜层上以形成水溶性聚合物层;(iii)将该两层选择性曝光以形成用作晶体生长的核的潜图案;以及(iv)将潜图案镀以金属以在其上生长金属晶体。根据该方法,可以以低成本、较简单的方式形成包含低电阻率金属的多层电路图案,并且可以根据预定用途自由选择构成各层的金属。该低电阻率金属图案可有利地应用于平板显示器件如LCDs、PDPs和ELDs。
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公开(公告)号:CN100461000C
公开(公告)日:2009-02-11
申请号:CN200410081932.X
申请日:2004-12-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H05K3/185 , C23C18/1608 , C23C18/1612 , C23C18/1651 , C23C18/1653 , C23C18/204 , C23C18/208 , C23C18/30 , C23C18/36 , C23C18/405 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种用于形成低电阻率金属图案的方法。该方法包含以下步骤:(i)将光催化化合物涂布到衬底上以形成光催化薄膜层;(ii)将水溶性聚合物涂布到光催化薄膜层上以形成水溶性聚合物层;(iii)将该两层选择性曝光以形成用作晶体生长的核的潜图案;以及(iv)将潜图案镀以金属以在其上生长金属晶体。根据该方法,可以以低成本、较简单的方式形成包含低电阻率金属的多层电路图案,并且可以根据预定用途自由选择构成各层的金属。该低电阻率金属图案可有利地应用于平板显示器件如LCDs、PDPs和ELDs。
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公开(公告)号:CN101013728A
公开(公告)日:2007-08-08
申请号:CN200610164263.1
申请日:2006-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/04 , H01M14/00 , H01G9/20
CPC classification number: H01G9/2022 , Y02E10/542
Abstract: 本发明涉及用于光电池的反电极和含有该反电极的光电池。该反电极包括透明基质和使用载体催化剂在透明基质上形成的催化剂层。本发明的反电极具有经济的制造成本和工艺,并且也具有与电池电解质层增大的接触面积,由此导致催化活性增强。因此,在将该反电极用于光电池时,显示了极佳的光电转化效率。在示例性实施方式中,该光电池为一种包括该反电极的染料敏化型光电池。
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