公开(公告)号：CN117594567A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202310752562.0

申请日：2023-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金珍 ,  金南宰 ,  金秀宾 ,  金柄武 ,  全众源

IPC: H01L23/538 ,  H01L29/06 ,  H01L27/088

Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，包括PMOS区域、N阱抽头形成区域以及边界区域；PMOS场效应晶体管，位于所述PMOS区域上；N阱抽头区域，位于所述N阱抽头形成区域中，掺杂有N型杂质；第一金属图案，连接到所述PMOS场效应晶体管的至少一个杂质区域，其中，所述第一金属图案延伸，使得所述第一金属图案的端部位于所述边界区域上；第二金属图案，电连接到所述N阱抽头区域，其中，所述第二金属图案延伸，使得所述第二金属图案的端部位于所述边界区域上；第一接触插塞，位于所述第一金属图案上；第二接触插塞，位于所述第二金属图案上；以及上部布线，位于所述第一接触插塞和所述第二接触插塞上。

公开(公告)号：CN117592419A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202310709880.9

申请日：2023-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金秀宾 ,  田俊秀 ,  姜在贤 ,  金柄武 ,  全众源

IPC: G06F30/392

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：利用其中记录有设计规则的设计规则手册(DRM)设计半导体器件布局；以及对利用所设计的半导体器件布局制造的半导体器件执行包括至少一种栅极结构故障的故障的故障评估。所述方法还包括：通过基于所述故障评估的结果更新记录于所述DRM的所述设计规则，来更新所述DRM；利用更新后的DRM重新设计所述半导体器件布局；以及利用重新设计的所述半导体器件布局制造所述半导体器件。

公开(公告)号：CN115249667A

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN202210349868.7

申请日：2022-04-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田俊秀 ,  金秀宾 ,  金柄武

IPC: H01L23/16 ,  H01L23/00 ,  H01L23/528

Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：半导体基底，包括主芯片区域；保护环，围绕主芯片区域；防潮环，围绕保护环；电极结构，在主芯片区域中与半导体基底接触；以及至少一个金属图案结构，从电极结构延伸到防潮环。所述至少一个金属图案结构是将防潮环接地的连接线。