公开(公告)号：CN107507823B

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN201710443435.7

申请日：2017-06-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵丙国 ,  赵成日 ,  崔宰熏 ,  金時经

IPC: H01L23/552 ,  H01L23/528 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明概念的实施例提供一种用于制造半导体封装的方法。方法包含提供包括衬底、半导体芯片和模塑层的封装，所述衬底包括在所述衬底的一个表面处暴露的接地图案；以及将包含金属粒子和导电碳材料的溶液涂覆到所述模塑层上以形成屏蔽层。所述屏蔽层包括：所述金属粒子；以及连接到所述金属粒子中的至少一个金属粒子的所述导电碳材料。所述屏蔽层延伸到所述衬底的所述一个表面上且电连接到所述接地图案。

公开(公告)号：CN107507823A

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201710443435.7

申请日：2017-06-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵丙国 ,  赵成日 ,  崔宰熏 ,  金時经

IPC: H01L23/552 ,  H01L23/528 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L21/561 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/81 ,  H01L21/02697 ,  H01L23/5286

Abstract: 本发明概念的实施例提供一种用于制造半导体封装的方法。方法包含提供包括衬底、半导体芯片和模塑层的封装，所述衬底包括在所述衬底的一个表面处暴露的接地图案；以及将包含金属粒子和导电碳材料的溶液涂覆到所述模塑层上以形成屏蔽层。所述屏蔽层包括：所述金属粒子；以及连接到所述金属粒子中的至少一个金属粒子的所述导电碳材料。所述屏蔽层延伸到所述衬底的所述一个表面上且电连接到所述接地图案。