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发明公开
半导体存储器件及设计其的方法审中-公开

公开(公告)号：CN117594085A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202310744281.0

申请日：2023-06-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔益准 , 金基炫 , 朴晟喆 , 金旻晙 , 金俊亨

IPC: G11C8/10

Abstract: 提供了一种半导体存储器件及设计其的方法。所述半导体存储器件包括n个物理存储体，所述n个物理存储体中的每一个物理存储体被配置为全部地或部分地被包括在第一逻辑存储体或第二逻辑存储体中，并且被布置在行方向上，其中，n是大于或等于3的整数，并且其中，所述n个物理存储体在所述行方向上的相应宽度的总和与所述n个物理存储体中的每一个物理存储体在列方向上的高度的比例为不是2的倍数的实数倍。

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