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公开(公告)号：CN1222624C
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN02147199.1
申请日：2002-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C12Q1/68
CPC classification number: C12Q1/6837 , C12Q2563/107 , C12Q2545/113
Abstract: 本发明提供了DNA微阵列的质量控制方法，其包括制备含有第一种荧光染料的DNA点样溶液，所述荧光染料具有特定的激发和发射波长，将DNA点样溶液上样于DNA芯片的基质上以形成DNA斑点，其中第一种荧光染料与基质结合，和检测DNA斑点发出的荧光信号。在DNA微阵列的质量控制方法中，由于与DNA探针一起共价结合于固体芯片表面的荧光染料发出的信号被用于质量控制，因此无需进行常规质量控制方法中的染色和除去染料的过程。
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公开(公告)号：CN1574093A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410046560.7
申请日：2004-06-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/56
CPC classification number: G11C13/0064 , G11C7/12 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0026 , G11C13/0061 , G11C13/0069 , G11C29/02 , G11C29/028 , G11C29/50012 , G11C2013/0066 , G11C2013/0092
Abstract: 本发明描述了一种对相变存储器件，比如硫族化合物存储器(PRAM)，进行编程的方法。本发明涉及将PRAM元件从复位状态编程到设置状态或从设置状态编程到设置状态的方法。本发明提供了一种新颖且非显而易见的PRAM器件和方法，其中通过在编程的过程中监测存储元件的状态控制设置脉冲持续时间，比如通过将位线的电压与参考电压进行比较或将单元电阻与设置状态单元电阻进行比较。响应存储元件的所检测的状态控制设置脉冲的持续时间。本发明的方法的结果是PRAM编程错误，比如由恒定的持续时间设置脉冲引起的错误，被极大地减少，以及编程持续时间和功耗减小。
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公开(公告)号：CN1443854A
公开(公告)日：2003-09-24
申请号：CN02147199.1
申请日：2002-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C12Q1/68
CPC classification number: C12Q1/6837 , C12Q2563/107 , C12Q2545/113
Abstract: 本发明提供了DNA微阵列的质量控制方法，其包括制备含有第一种荧光染料的DNA点样溶液，所述荧光染料具有特定的激发和发射波长，将DNA点样溶液上样于DNA芯片的基质上以形成DNA斑点，其中第一种荧光染料与基质结合，和检测DNA斑点发出的荧光信号。在DNA微阵列的质量控制方法中，由于与DNA探针一起共价结合于固体芯片表面的荧光染料发出的信号被用于质量控制，因此无需进行常规质量控制方法中的染色和除去染料的过程。
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公开(公告)号：CN100514492C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200410046560.7
申请日：2004-06-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/56
CPC classification number: G11C13/0064 , G11C7/12 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0026 , G11C13/0061 , G11C13/0069 , G11C29/02 , G11C29/028 , G11C29/50012 , G11C2013/0066 , G11C2013/0092
Abstract: 本发明描述了一种对相变存储器件，比如硫族化合物存储器(PRAM)，进行编程的方法。本发明涉及将PRAM元件从复位状态编程到设置状态或从设置状态编程到设置状态的方法。本发明提供了一种新颖且非显而易见的PRAM器件和方法，其中通过在编程的过程中监测存储元件的状态控制设置脉冲持续时间，比如通过将位线的电压与参考电压进行比较或将单元电阻与设置状态单元电阻进行比较。响应存储元件的所检测的状态控制设置脉冲的持续时间。本发明的方法的结果是PRAM编程错误，比如由恒定的持续时间设置脉冲引起的错误，被极大地减少，以及编程持续时间和功耗减小。
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