公开(公告)号：CN119072132A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202410597356.1

申请日：2024-05-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金平宇 ,  李昌燮 ,  白承祐 ,  张允瑄

IPC: H10B43/35 ,  H10B43/27 ,  H10B43/10 ,  H10B41/35 ,  H10B41/27 ,  H10B41/10 ,  H10B41/50 ,  H10B43/50

Abstract: 一种半导体器件包括：外围电路结构；和单元结构，所述单元结构堆叠在所述外围电路结构上并且包括单元区域、连接区域和外围电路连接区域，其中，所述单元结构包括：栅电极，所述栅电极在所述单元区域中在垂直方向上相互间隔开；沟道结构，所述沟道结构在所述垂直方向上延伸通过所述栅电极，位于所述单元区域中，并且包括第一端部和与所述第一端部相对的第二端部，所述第一端部接近所述外围电路结构；绝缘壁，所述绝缘壁在所述单元区域与所述连接区域之间的边界处在所述垂直方向上延伸；和公共源极层，所述公共源极层在所述单元区域中连接到所述沟道结构的所述第二端部，并且具有布置在所述绝缘壁的侧壁上的部分。