公开(公告)号：CN100479113C

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200510091335.X

申请日：2005-05-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金润奭 ,  金宗杓 ,  林夏珍 ,  朴哉彦 ,  丁炯硕 ,  李钟镐 ,  梁钟虎

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/304 ,  C23C16/44 ,  C23C16/40

Abstract: 提供了使用原子层沉积工艺在半导体基底上制造金属硅酸盐层的方法。为了形成具有所需厚度的金属硅酸盐层，这些方法包括进行金属硅酸盐层形成周期至少一次。金属硅酸盐层形成周期包括重复进行金属氧化物层形成周期K次的操作以及重复进行硅氧化物形成周期Q次的操作。K和Q分别是1至10的整数，该金属氧化物层形成周期包括步骤：向含有基底的反应器中供应金属源气体，排出残留在反应器中的金属源气体，接着向该反应器供应氧化物气体。该硅氧化物层形成周期包括：向含有基底的反应器中供应硅源气体，排出残留在反应器中的硅源气体，接着向该反应器供应氧化物气体。

公开(公告)号：CN1734727A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200510091335.X

申请日：2005-05-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金润奭 ,  金宗杓 ,  林夏珍 ,  朴哉彦 ,  丁炯硕 ,  李钟镐 ,  梁钟虎

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/304 ,  C23C16/44 ,  C23C16/40

Abstract: 提供了使用原子层沉积工艺在半导体基底上制造金属硅酸盐层的方法。为了形成具有所需厚度的金属硅酸盐层，这些方法包括进行金属硅酸盐层形成周期至少一次。金属硅酸盐层形成周期包括重复进行金属氧化物层形成周期K次的操作以及重复进行硅氧化物形成周期Q次的操作。K和Q分别是1至10的整数，该金属氧化物层形成周期包括步骤：向含有基底的反应器中供应金属源气体，排出残留在反应器中的金属源气体，接着向该反应器供应氧化物气体。该硅氧化物层形成周期包括：向含有基底的反应器中供应硅源气体，排出残留在反应器中的硅源气体，接着向该反应器供应氧化物气体。