公开(公告)号：CN1236187A

公开(公告)日：1999-11-24

申请号：CN99107373.8

申请日：1999-05-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁元硕 ,  金基南 ,  赵昶贤

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/6659 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823864 ,  H01L27/092 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10894 ,  H01L29/6656

Abstract: 提供在金属氧化物半导体晶体管中的一种改进的源/漏结构形及其制造方法,其中其在外围区中形成栅双侧壁间隔层,同时在单元阵列区中形成栅单侧壁间隔层。形成的双侧壁间隔层有利地抑制短沟道效应,防止漏电流和减少薄层电阻。外围区中用于第二间隔层的绝缘层留在单元阵列区中,并在用于形成接触开口的层间绝缘层的腐蚀步骤期间用作腐蚀停止层,而且在硅化作用形成的步骤期间用作阻挡层,由此简化制造工艺。

公开(公告)号：CN1131561C

公开(公告)日：2003-12-17

申请号：CN99107373.8

申请日：1999-05-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁元硕 ,  金基南 ,  赵昶贤

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/6659 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823864 ,  H01L27/092 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10894 ,  H01L29/6656

Abstract: 提供在金属氧化物半导体晶体管中的一种改进的源/漏结构形及其制造方法，其中其在外围区中形成栅双侧壁间隔层，同时在单元阵列区中形成栅单侧壁间隔层。形成的双侧壁间隔层有利地抑制短沟道效应，防止漏电流和减少薄层电阻。外围区中用于第二间隔层的绝缘层留在单元阵列区中，并在用于形成接触开口的层间绝缘层的腐蚀步骤期间用作腐蚀停止层，而且在硅化作用形成的步骤期间用作阻挡层，由此简化制造工艺。