公开(公告)号：CN118159022A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202311659733.1

申请日：2023-12-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金刚俊

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了一种集成电路装置，其包括基底和栅极结构，基底包括限定有源区域的元件隔离膜，栅极结构掩埋在基底的有源区域中。栅极结构包括栅极沟槽、沿着栅极沟槽的内壁共形的外绝缘层、在外绝缘层上共形的沟道结构层、在沟道结构层上共形的栅极绝缘层、填充栅极沟槽的下区域的栅电极层以及在栅电极层上的封盖绝缘层，封盖绝缘层填充栅极沟槽的上区域。

公开(公告)号：CN115810658A

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN202210937519.7

申请日：2022-08-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李善行 ,  金刚俊

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/78 ,  H10B20/25

Abstract: 一种晶体管包括：栅极结构，设置在衬底上并包括栅极绝缘层和栅电极；第一杂质区，设置在衬底的上部并与栅极结构的第一侧壁相邻；第二杂质区，设置在衬底的上部并与栅极结构的和第一侧壁相对的第二侧壁相邻；以及第一阈值电压控制线，与衬底间隔开，其中第一阈值电压控制线面向第一杂质区的至少一部分，其中第一阈值电压控制线包括导电材料，并且其中第一阈值电压控制线沿与第一杂质区延伸的方向交叉的方向延伸。