-
公开(公告)号:CN1652249A
公开(公告)日:2005-08-10
申请号:CN200510004452.8
申请日:2005-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种制造纳米尺寸磁性隧道结单元的方法,其中在磁性隧道结单元中的接触不需要形成接触孔而形成。形成磁性隧道结单元的方法包括在衬底上形成一磁性隧道结层,通过构图磁性隧道结层形成磁性隧道结单元区域,在磁性隧道结层上依次沉积一绝缘层和一掩模层,通过在同一蚀刻速率下蚀刻掩模层和绝缘层曝露磁性隧道结单元区域的上表面,以及在绝缘层和磁性隧道结层上面沉积一金属层。
-
公开(公告)号:CN119856486A
公开(公告)日:2025-04-18
申请号:CN202380067092.2
申请日:2023-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N13/363 , H04N13/366 , H04N13/204 , G06F3/01 , G06V40/20 , G06T7/246 , H04N9/31 , H04N23/73 , H04N23/71
Abstract: 投影设备包括:光源,被配置为输出图像光;投影透镜,被配置为向外部投影图像光;相机,被配置为拍摄位于相机与被投影的图像光的外部投影表面之间的对象;光阻挡器,被配置为在阻挡时段期间阻挡由光源输出的图像光;以及至少一个处理器,被配置为:获得关于外部投影表面的照度的照度信息,设置在其期间光源输出的图像光被阻挡的阻挡时段,基于照度信息,在阻挡时段内设置拍摄时段,在阻挡时段内控制光阻挡器来阻挡光源输出的图像光,以及在拍摄时段内控制相机拍摄对象。
-
公开(公告)号:CN1815769A
公开(公告)日:2006-08-09
申请号:CN200510022966.6
申请日:2005-12-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3909 , G11B5/3929 , G11B2005/3996 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供使用TiN作为盖帽层的磁致电阻器件以及制造该磁致电阻器件的方法。该磁致电阻器件通过更简化的制造工艺被制造,且该磁致电阻器件具有更改进的稳定性和可靠性。
-
-