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公开(公告)号：CN111834355A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010167252.9
申请日：2020-03-11
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 赵暎相 , 李稀裼 , 任允赫 , 郑文燮
IPC: H01L25/18 , H01L23/31 , H01L23/29 , H01L21/98
Abstract: 一种半导体封装包括：封装基底；下部半导体芯片，位于所述封装基底上；中间层，位于所述下部半导体芯片上，所述中间层包括彼此间隔开的多个片段；上部半导体芯片，位于所述中间层上；以及模制构件，覆盖所述下部半导体芯片及所述中间层。
