公开(公告)号：CN112442371B

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202010895937.5

申请日：2020-08-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金星祐 ,  J.A.金 ,  金泰亨 ,  朴建洙 ,  元裕镐 ,  李晶姬 ,  张银珠 ,  章效淑 ,  韩用锡 ,  郑希在

IPC: C09K11/88 ,  C09K11/02 ,  H10K50/115

Abstract: 本发明涉及量子点、其制造方法、包括其的量子点群和电致发光器件。量子点包括：包括第一半导体纳米晶体的芯，所述第一半导体纳米晶体包括锌硫属化物；和设置在所述芯的表面上并且包括锌、硒和硫的半导体纳米晶体壳。所述量子点不包括镉，发射蓝色光，并呈现出具有闪锌矿结构的(100)面的通过透射电子显微镜图像的快速傅里叶变换获得的数字衍射图样，并且在所述量子点的X射线衍射光谱中，缺陷峰面积相对于闪锌矿晶体结构的峰面积的比小于约0.8:1。还公开了制造所述量子点的方法和包括所述量子点的电致发光器件。

公开(公告)号：CN115623807A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202210751261.1

申请日：2022-06-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰亨 ,  郑希在 ,  张银珠 ,  朴秀珍 ,  元裕镐

IPC: H10K50/115 ,  H10K50/125 ,  H10K59/35 ,  H10K85/00

Abstract: 公开电致发光显示器件和发光器件，其包括蓝色光发射层。所述电致发光显示器件和所述发光器件包括：第一电极、第二电极、以及在第一电极和第二电极之间的光发射层。光发射层包括包含多个纳米结构体的蓝色光发射层，所述多个纳米结构体不包括镉。在施加偏压时，蓝色光发射层配置成发射在大于或等于约445nm且小于或等于约480nm的范围内的发射峰波长(λ最大)的光。在从第一电压到比第一电压大至少约5伏的第二电压的偏压变化期间，蓝色光发射层的发射峰波长(λ最大)可呈现出比在第一电压下的发射峰波长和在第二电压下的发射峰波长小的第一发射峰波长，并且在所述偏压变化期间，发射峰波长(λ最大)的变化宽度小于或等于约4纳米。

公开(公告)号：CN112442371A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010895937.5

申请日：2020-08-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金星祐 ,  J.A.金 ,  金泰亨 ,  朴建洙 ,  元裕镐 ,  李晶姬 ,  张银珠 ,  章效淑 ,  韩用锡 ,  郑希在

IPC: C09K11/88 ,  C09K11/02 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明涉及量子点、其制造方法、包括其的量子点群和电致发光器件。量子点包括：包括第一半导体纳米晶体的芯，所述第一半导体纳米晶体包括锌硫属化物；和设置在所述芯的表面上并且包括锌、硒和硫的半导体纳米晶体壳。所述量子点不包括镉，发射蓝色光，并呈现出具有闪锌矿结构的(100)面的通过透射电子显微镜图像的快速傅里叶变换获得的数字衍射图样，并且在所述量子点的X射线衍射光谱中，缺陷峰面积相对于闪锌矿晶体结构的峰面积的比小于约0.8:1。还公开了制造所述量子点的方法和包括所述量子点的电致发光器件。