公开(公告)号：CN101113514B

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200710107773.X

申请日：2007-04-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全尚珍 ,  郑进旭 ,  李根硕 ,  史昇烨 ,  赵炯喆

IPC: C23C14/22 ,  C23C16/513 ,  C23F4/00 ,  H05H1/24

CPC classification number: C23C16/507 ,  H01J37/321 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明公开一种基底处理设备，该基底处理设备包括：真空室，具有用于产生等离子体的反应空间，目标基底位于该真空室中；低频天线单元，位于反应空间外，用于在反应空间中产生等离子体；低频电源供应件，将低频电源施加给低频天线单元；高频天线单元，位于反应空间外，用于在反应空间中产生等离子体；高频电源供应件，将高频电源施加给高频天线单元。所述设备通过高频天线单元使反应气体的点燃有效地执行，并通过低频天线单元提高等离子体和低频天线单元之间的感应耦合的效率，从而提高等离子体产生效率。

公开(公告)号：CN101113514A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200710107773.X

申请日：2007-04-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全尚珍 ,  郑进旭 ,  李根硕 ,  史昇烨 ,  赵炯喆

IPC: C23C14/22 ,  C23C16/513 ,  C23F4/00 ,  H05H1/24

CPC classification number: C23C16/507 ,  H01J37/321 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明公开一种基底处理设备，该基底处理设备包括：真空室，具有用于产生等离子体的反应空间，目标基底位于该真空室中；低频天线单元，位于反应空间外，用于在反应空间中产生等离子体；低频电源供应件，将低频电源施加给低频天线单元；高频天线单元，位于反应空间外，用于在反应空间中产生等离子体；高频电源供应件，将高频电源施加给高频天线单元。所述设备通过高频天线单元使反应气体的点燃有效地执行，并通过低频天线单元提高等离子体和低频天线单元之间的感应耦合的效率，从而提高等离子体产生效率。