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公开(公告)号：CN1841297A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610067990.6
申请日：2006-03-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/26 , G11C7/1039 , G11C7/22
Abstract: 一种存储器包括第一和第二缓冲存储器以及存储核心。存储核心包括存储块，每个有多个页面和页面缓冲器，用于从所选择的存储块中读取数据。控制逻辑控制第一和第二缓冲存储器以及存储核心。控制逻辑含用于存储存储核心的地址和命令信息的寄存器。控制逻辑控制存储核心，以便根据所存储的地址和命令信息，执行针对所选择存储块页面的数据读取周期。控制逻辑控制第一和第二缓冲存储器以及存储核心，以便在数据读取周期中将页面缓冲器中的数据传送到第一和/或第二缓冲存储器中。当将页面缓冲器中的数据传送到第一和/或第二缓冲存储器中时，控制逻辑使中断信号变为无效，当将第一和/或第二缓冲存储器中的数据传送到外部设备时，使中断信号变为有效。
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公开(公告)号：CN116110472A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211190995.3
申请日：2022-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开操作用于保持增强的存储装置的方法和存储装置。在操作包括存储控制器和非易失性存储器的存储装置的方法中，存储装置基于外部电源电压的激活而被通电。与主机装置的通信的建立基于存储装置与主机装置之间的链路信号而被等待。在没有与主机装置的通信的建立的情况下，保持增强操作通过进入保持增强模式并且通过将至少一个命令从存储控制器提供给非易失性存储器而对存储装置被执行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100545817C
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200510119325.2
申请日：2005-11-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C29/4401 , G06F11/1048 , G11C29/42 , G11C29/76 , G11C2029/0411
Abstract: 一种用于管理存储在具有多个存储块的非易失性存储器中的数据的方法，包括：首先，确定所选存储块中的读取数据中是否出现错误。如果所选存储块中的读取数据中出现错误，则确定所选存储块所属的区域。如果所选存储块属于代码数据区域，则确定读取数据的位错误数量是否小于或等于允许的位错误数量。如果读取数据的位错误数量小于或等于允许的位错误数量，则用预留存储块替代代码数据区域的所选存储块，并且将代码数据区域的所选存储块指定到用户数据区域。
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公开(公告)号：CN1783345A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510118085.4
申请日：2005-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C29/789 , G11C16/20 , G11C2216/26
Abstract: 一种无熔丝电路可以包括NAND闪速存储单元和响应于存储在NAND闪速存储单元中的数据而导通或关断的开关。还包括可以在有耦接到开关的可调节电路的半导体器件中实现无熔丝电路。可调节电路可以被构造成响应于开关的导通或关断状态而模拟熔丝的No_Cut(未切断)或Cut(切断)操作操作。
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公开(公告)号：CN114596888A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202111451351.0
申请日：2021-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/22
Abstract: 一种存储器设备，其包括：多个非易失性存储器芯片，每个非易失性存储器芯片包括状态输出引脚；以及缓冲器芯片，配置为从状态输出引脚接收指示所述多个非易失性存储器芯片的状态的多个内部状态信号并基于指示特定状态的内部状态信号输出具有设定周期的外部状态信号，其中，在具有设定周期的外部状态信号的第一区段中，外部状态信号的占空比取决于所述多个非易失性存储器芯片当中的输出指示所述特定状态的内部状态信号的非易失性存储器芯片的标识(ID)来确定。
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公开(公告)号：CN1952917A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200610163571.2
申请日：2006-09-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F13/28
CPC classification number: G06F13/28
Abstract: 一方面，数据处理系统包括OneNAND闪存，其具有内部非易失性存储器和可以临时存储来自内部非易失性存储器的页数据的内部缓冲存储器，以及具有加速缓冲器的第一存储器控制器。存储器控制器控制OneNAND闪存的读取操作，以使得将OneNAND内部缓冲存储器中存储的页数据以多个数据单元、依次而不断地通过加速缓冲器而从OneNAND闪存输出到外部设备。
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公开(公告)号：CN1790292A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510119325.2
申请日：2005-11-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C29/4401 , G06F11/1048 , G11C29/42 , G11C29/76 , G11C2029/0411
Abstract: 一种用于管理存储在具有多个存储块的非易失性存储器中的数据的方法，包括：首先，确定所选存储块中的读取数据中是否出现错误。如果所选存储块中的读取数据中出现错误，则确定所选存储块所属的区域。如果所选存储块属于代码数据区域，则确定读取数据的位错误数量是否小于或等于允许的位错误数量。如果读取数据的位错误数量小于或等于允许的位错误数量，则用预留存储块替代代码数据区域的所选存储块，并且将代码数据区域的所选存储块指定到用户数据区域。
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