公开(公告)号：CN100350564C

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN03155614.0

申请日：2003-08-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金已晶 ,  全相文 ,  金祐奭 ,  许太列

IPC: H01L21/304 ,  H01L29/06 ,  C30B33/00

CPC classification number: H01L21/02021 ,  Y10T428/12674

Abstract: 本发明涉及具有不对称边缘轮廓的半导体晶片及其制造方法。半导体晶片利用不对称边缘轮廓(EP)以便获得半导体器件加工的较高合格率。构造这些边缘轮廓以减少薄膜残余物的量，该薄膜残余物可能形成在半导体晶片的上表面上并靠近其周围边缘的位置处。还构造这些边缘轮廓以在半导体加工步骤期间抑制在晶片上表面上再淀积残存颗粒。该制造方法包括：将半导体结晶体切成具有上表面和下表面的至少一个半导体晶片；以及研磨该至少一个半导体晶片的周围边缘，以定义在内边缘轮廓(EPin)和外边缘轮廓(EPout)之间延伸的不对称边缘轮廓(EP)。

公开(公告)号：CN1497680A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN03155614.0

申请日：2003-08-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金已晶 ,  全相文 ,  金祐奭 ,  许太列

IPC: H01L21/304 ,  H01L29/06 ,  C30B33/00

CPC classification number: H01L21/02021 ,  Y10T428/12674

Abstract: 本发明涉及具有不对称边缘轮廓的半导体晶片及其制造方法。半导体晶片利用不对称边缘轮廓(EP)以便获得半导体器件加工的较高合格率。构造这些边缘轮廓以减少薄膜残余物的量，该薄膜残余物可能形成在半导体晶片的上表面上并靠近其周围边缘的位置处。还构造这些边缘轮廓以在半导体加工步骤期间抑制在晶片上表面上再淀积残存颗粒。该制造方法包括：将半导体结晶体切成具有上表面和下表面的至少一个半导体晶片；以及研磨该至少一个半导体晶片的周围边缘，以定义在内边缘轮廓(EPin)和外边缘轮廓(EPout)之间延伸的不对称边缘轮廓(EP)。