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公开(公告)号：CN119545784A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202410371909.1
申请日：2024-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底，包括彼此间隔开的第一有源图案和第二有源图案；第一栅极结构，设置在第一有源图案上；第二栅极结构，设置在第二有源图案上；以及沟道半导体图案，设置在第二有源图案与第二栅极结构之间，其中，第一栅极结构包括堆叠在第一有源图案上的第一绝缘图案、第二绝缘图案和第一高k介电图案，其中，第二栅极结构包括堆叠在沟道半导体图案上的第三绝缘图案和第二高k介电图案，并且其中，第三绝缘图案的厚度在#imgabs0#至#imgabs1#的范围内。
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