公开(公告)号：CN103035294A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210371210.2

申请日：2012-09-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相勋 ,  金成彬 ,  金眩奭 ,  裵成桓 ,  白种南

IPC: G11C16/26 ,  G11C16/10

CPC classification number: G11C11/5642 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26 ,  G11C16/349

Abstract: 公开了执行读重试的方法和用于执行这样的方法的设备，所述方法包括利用新的读参数读取非易失性存储器。读重试操作和/或后续读重试操作可以在确定这样的读重试操作被批准之前开始和/或完成。例如，可以利用施加于页面的字线的新的读电压电平在读重试操作中读取NAND闪速存储器的页面。例如，可以在确定目标页面的先前读取的数据页面的错误无法通过ECC操作纠正之前对目标页面执行读重试操作。