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公开(公告)号：CN117479531A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310863414.6
申请日：2023-07-13
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李敏永 , 吕晟溱 , 柳原锡 , 禹再珉 , 丁璟钰 , 郑明勋 , 洪润基
IPC: H10B12/00
Abstract: 半导体器件可以包括在衬底上的位线结构、第一间隔物和第二间隔物。位线结构可以包括在基本上垂直于衬底的上表面的竖直方向上堆叠的导电结构和绝缘结构。第一间隔物和第二间隔物可以在位线结构的侧壁上沿水平方向堆叠。水平方向可以基本上平行于衬底的上表面。导电结构可以在其横向部分包括含氮导电部分。第一间隔物可以接触含氮导电部分。
