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发明公开
半导体器件和包括该半导体器件的电子系统审中-公开

公开(公告)号：CN118042837A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202310747760.8

申请日：2023-06-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金佐燮 , 金青珍 , 金贤江 , 石昭娟 , 李贞浩 , 郑润圭

IPC: H10B41/35

Abstract: 公开了半导体器件、包括该半导体器件的电子系统以及制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括：源极结构，包括支撑源极层；栅极堆叠结构，在支撑源极层上；存储沟道结构，穿透栅极堆叠结构和支撑源极层；以及分离结构，穿透栅极堆叠结构和支撑源极层。支撑源极层包括：第一源极部，存储沟道结构穿透该第一源极部；以及第二源极部，分离结构穿透该第二源极部。第一源极部的顶表面处于比第二源极部的顶表面的水平低的水平处。

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