公开(公告)号：CN105322089B

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201510459661.5

申请日：2015-07-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜信在 ,  朴钟撤 ,  裴丙才 ,  权载奭 ,  申铉受

IPC: H01L43/00 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G11C11/15

Abstract: 本发明提供了一种制造磁存储器器件的方法和磁存储器器件。所述方法可包括：在衬底上按次序形成第一磁性层、隧道势垒层和第二磁性层；在第二磁性层上形成掩模图案，以暴露出第二磁性层的一部分；在掩模图案的侧壁和第二磁性层的所述部分上形成封盖绝缘层；通过封盖绝缘层将氧离子注入到第二磁性层的所述部分中，以形成氧化物层；各向异性地蚀刻封盖绝缘层，以形成封盖间隔件；以及利用掩模图案和封盖间隔件将氧化物层、隧道势垒层和第一磁性层图案化。

公开(公告)号：CN105322089A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510459661.5

申请日：2015-07-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜信在 ,  朴钟撤 ,  裴丙才 ,  权载奭 ,  申铉受

IPC: H01L43/00 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  H01L27/222 ,  H01L27/224 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供了一种制造磁存储器器件的方法和磁存储器器件。所述方法可包括：在衬底上按次序形成第一磁性层、隧道势垒层和第二磁性层；在第二磁性层上形成掩模图案，以暴露出第二磁性层的一部分；在掩模图案的侧壁和第二磁性层的所述部分上形成封盖绝缘层；通过封盖绝缘层将氧离子注入到第二磁性层的所述部分中，以形成氧化物层；各向异性地蚀刻封盖绝缘层，以形成封盖间隔件；以及利用掩模图案和封盖间隔件将氧化物层、隧道势垒层和第一磁性层图案化。