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发明公开
半导体存储器件审中-实审

公开(公告)号：CN116419564A

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202310007877.2

申请日：2023-01-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东焕 , 姜赫镇 , 申赞优 , 金珉宇 , 宋正宇

IPC: H10B12/00 , H01L23/488

Abstract: 提供了一种半导体存储器件。该半导体存储器件包括：在基板上的导电线、沿导电线的上表面延伸的盖图案、沿导电线的侧表面和盖图案的侧表面延伸的间隔物结构、在间隔物结构的侧表面上的电连接到基板的掩埋接触、沿掩埋接触和间隔物结构延伸的阻挡导电膜、以及在阻挡导电膜和盖图案上的电连接到掩埋接触的着落焊盘，其中间隔物结构的上部包括低于或等于盖图案的最上表面的间隔物凹槽，阻挡导电膜沿间隔物凹槽延伸并且不覆盖盖图案的最上表面。

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