公开(公告)号：CN1691330A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200510067019.9

申请日：2005-04-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 河在圭 ,  朴钟撤

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/108 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L27/10817 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10876

Abstract: 本发明的实施例包括利用具有基于沟槽的栅电极的场效应晶体管的动态随机存取存储器(DRAM)器件。在这些器件中，提供其中具有隔离槽的半导体衬底。在半导体衬底的第一部分中形成该隔离槽。在隔离槽的底部和侧壁上设置电绝缘里衬。隔离槽还用场氧化区填充，场氧化区在电绝缘里衬上延伸。在半导体衬底中还设置场效应晶体管。该晶体管包括半导体衬底的第二部分中的栅电极沟槽，以及内衬栅电极沟槽的底部和侧壁的栅绝缘层。在栅电极沟槽中设置了栅电极。栅电极接触隔离槽和栅绝缘层中的电绝缘里衬。源区和漏区在半导体衬底中延伸并邻近栅电极。