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发明公开
包括器件隔离层的半导体装置无效

公开(公告)号：CN110504262A

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201910026981.X

申请日：2019-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张世明 , 安濬爀 , 金奉秀 , 朴晓斌 , 沈明燮

IPC: H01L27/088

Abstract: 提供了包括器件隔离层的半导体装置。所述半导体装置包括：基底，具有单元区域和核心/外围区域；第一有源区，位于基底的单元区域中；第一器件隔离层，限定第一有源区；第二有源区，位于基底的核心/外围区域中；以及第二器件隔离层，限定第二有源区。在与基底的下表面垂直的第一方向上从基底的下表面到第一器件隔离层的上端的高度小于或等于在第一方向上从基底的下表面到第一有源区的上端的高度。

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