公开(公告)号：CN100381920C

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN02827158.0

申请日：2002-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳昇熙 ,  洪雯杓 ,  卢水贵 ,  卢南锡 ,  宋根圭 ,  崔熙焕 ,  金保成 ,  金湘甲 ,  姜聖哲 ,  朴弘植

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/136295

Abstract: 首先，利用含有8-12%Ce(NH4)2(NO3)6、10-20%NH3及残留超纯水的蚀刻剂来沉积Cr层和CrOx层并制作布线图案，以形成包括多条栅极线、多个栅极、以及多个栅极衬垫的栅极布线。然后，顺次形成栅极绝缘层、半导体层、及欧姆接触层。利用含有8-12%Ce(NH4)2(NO3)6、10-20%NH3及残留超纯水的蚀刻剂来沉积Cr层和CrOx层并制作布线图案，以形成包括多条数据线、多个源极、多个漏极、及多个数据衬垫的数据布线。接着，沉积钝化层并制作布线图案以形成分别露出漏极、栅极衬垫、及数据衬垫的接触孔。沉积透明导电材料或反射性导电材料并制作布线图案以形成分别与漏极、栅极衬垫、及数据衬垫电连接的多个像素电极、多个辅助栅极衬垫、及多个辅助数据衬垫。将具有低反射比的栅极线和数据线作为遮光层用于遮挡像素区域之间光泄漏，而不增加黑色亮度。因此，无需在滤色器面板上设置单独的黑阵，从而可获得像素的纵横比和高对比度。

公开(公告)号：CN1615452A

公开(公告)日：2005-05-11

申请号：CN02827158.0

申请日：2002-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳昇熙 ,  洪雯杓 ,  卢水贵 ,  卢南锡 ,  宋根圭 ,  崔熙焕 ,  金保成 ,  金湘甲 ,  姜聖哲 ,  朴弘植

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/136295

Abstract: 首先，利用含有8－12％Ce(NH4)2(NO3)6、10－20％NH3及残留超纯水的蚀刻剂来沉积Cr层和CrOx层并制作布线图案，以形成包括多条栅极线、多个栅极、以及多个栅极衬垫的栅极布线。然后，顺次形成栅极绝缘层、半导体层、及欧姆接触层。利用含有8－12％Ce(NH4)2(NO3)6、10－20％NH3及残留超纯水的蚀刻剂来沉积Cr层和CrOx层并制作布线图案，以形成包括多条数据线、多个源极、多个漏极、及多个数据衬垫的数据布线。接着，沉积钝化层并制作布线图案以形成分别露出漏极、栅极衬垫、及数据衬垫的接触孔。沉积透明导电材料或反射性导电材料并制作布线图案以形成分别与漏极、栅极衬垫、及数据衬垫电连接的多个像素电极、多个辅助栅极衬垫、及多个辅助数据衬垫。将具有低反射比的栅极线和数据线作为遮光层用于遮挡像素区域之间光泄漏，而不增加黑色亮度。因此，无需在滤色器面板上设置单独的黑阵，从而可获得像素的纵横比和高对比度。