公开(公告)号：CN118076109A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202311585160.2

申请日：2023-11-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔喆敃 ,  沈善一 ,  林周炫

IPC: H10B41/50 ,  H10B41/35 ,  H10B41/27 ,  H10B43/50 ,  H10B43/35 ,  H10B43/27

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：栅电极结构，包括第一栅电极至第四栅电极；第一存储器沟道结构，延伸穿过第一栅电极至第三栅电极；第二存储器沟道结构，接触第一存储器沟道结构的上表面并且延伸穿过第四栅电极；以及第一接触插塞，包括部分地延伸穿过栅电极结构的下部和在下部的上表面上并接触下部的上表面的上部。第一接触插塞的下部具有变化的宽度，并且第一接触插塞的上部具有从其底部朝向顶部逐渐增加的宽度。第一接触插塞的下部延伸穿过第一栅电极、第二栅电极和第三栅电极，与第一栅电极和第二栅电极电绝缘，并且电连接到第三栅电极。

公开(公告)号：CN119173037A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202410163531.6

申请日：2024-02-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑光泳 ,  沈善一 ,  李昇埈 ,  林周炫 ,  全裕陈

IPC: H10B41/41 ,  H10B41/27 ,  H10B41/50 ,  H10B43/40 ,  H10B43/50 ,  H10B43/27

Abstract: 一种三维半导体存储器件可以包括：外围衬底上的外围电路结构；外围电路结构上的单元阵列结构，该单元阵列结构包括单元阵列区域和外部区域；单元阵列区域上的源极结构；外部区域上的基底图案；单元竖直结构，在单元阵列区域中延伸到单元阵列结构中，并且电连接到源极结构；外部竖直结构，在外部区域中延伸到单元阵列结构中；以及填充图案，从外部竖直结构延伸并且延伸到基底图案中。填充图案限定空隙，单元竖直结构的顶端距外围衬底第一距离，并且源极结构的顶表面距外围衬底第二距离。