公开(公告)号：CN117440683A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202310866072.3

申请日：2023-07-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡志旼 ,  朴瑛琳 ,  申东珉 ,  林佑燮

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件包括：下部结构；多个下部电极，所述多个下部电极在所述下部结构上；上部电极，所述上部电极在所述多个下部电极上；电介质层，所述电介质层在所述多个下部电极与所述上部电极之间，并且包括铁电层或反铁电层；以及多个界面层，所述多个界面层在所述多个下部电极与所述电介质层之间，其中，所述多个界面层包括：第一层，所述第一层接触所述多个下部电极，并且包括第一金属元素、不同于所述第一金属元素的第二金属元素和元素氮；以及第二层，所述第二层在所述第一层与所述电介质层之间，并且包括所述第一金属元素、所述第二金属元素和元素氧，其中，所述第一层中的所述第二金属元素的浓度低于所述第二层中的所述第二金属元素的浓度。

公开(公告)号：CN117119790A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202310537789.3

申请日：2023-05-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴瑛琳 ,  林佑燮 ,  蔡志旼 ,  安敞茂 ,  林载顺

IPC: H10B12/00 ,  H10N97/00

Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：下电极，设置在基底上；第一下界面膜，设置在下电极上；介电膜，设置在第一下界面膜上；第一上界面膜，设置在介电膜上；以及上电极，设置在第一上界面膜上，其中，第一下界面膜和第一上界面膜中的每个是导电单膜，并且第一下界面膜和第一上界面膜包括相同的金属元素，其中，包括在第一下界面膜和第一上界面膜中的每个中的金属元素的电负性大于包括在介电膜中的金属元素的电负性。