公开(公告)号：CN113388391A

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN202110277216.2

申请日：2021-03-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰坤 ,  李锺敏 ,  安珠娫 ,  杨惠渊 ,  田信爱

IPC: C09K11/70 ,  C09K11/02 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L27/32

Abstract: 公开了一种量子点、其制造方法以及包括其的量子点复合物和装置，其中，量子点包括包含铟(In)、镓、锌(Zn)、磷(P)和硫(S)的合金半导体纳米晶体，在量子点中，镓相对于铟的摩尔比(Ga:In)大于或等于约0.2:1，磷相对于铟的摩尔比(P:In)大于或等于约0.95:1，量子点不包括镉，在量子点的UV‑Vis吸收光谱中，第一吸收峰存在于小于或等于约520nm的范围内。

公开(公告)号：CN113388391B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202110277216.2

申请日：2021-03-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰坤 ,  李锺敏 ,  安珠娫 ,  杨惠渊 ,  田信爱

IPC: C09K11/70 ,  C09K11/02 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  H10K59/38

Abstract: 公开了一种量子点、其制造方法以及包括其的量子点复合物和装置，其中，量子点包括包含铟(In)、镓、锌(Zn)、磷(P)和硫(S)的合金半导体纳米晶体，在量子点中，镓相对于铟的摩尔比(Ga:In)大于或等于约0.2:1，磷相对于铟的摩尔比(P:In)大于或等于约0.95:1，量子点不包括镉，在量子点的UV‑Vis吸收光谱中，第一吸收峰存在于小于或等于约520nm的范围内。