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公开(公告)号：CN113345882A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202011194644.0
申请日：2020-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：第一有源图案，位于基底上；第一栅电极，与第一有源图案交叉；一对源极/漏极图案，位于第一有源图案的上部分中并且分别处于第一栅电极的相对侧处；第一栅极盖图案，位于第一栅电极上；层间绝缘层，位于源极/漏极图案上；第一有源接触件和第二有源接触件，穿透层间绝缘层并且分别连接到所述一对源极/漏极图案；以及第一互连层，位于第一有源接触件和第二有源接触件上。第一互连层可以包括：第一绝缘结构，覆盖第二有源接触件的顶表面；以及第一互连线，覆盖第一有源接触件的顶表面并且在第一绝缘结构上延伸，并且覆盖第一栅极盖图案的在第一有源接触件与第二有源接触件之间的顶表面。
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