公开(公告)号：CN1700425A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200510073964.X

申请日：2005-05-19

Applicant: 三星电子株式会社 ,  高科技实美化学株式会社

Inventor： 李光旭 ,  黄寅奭 ,  李锦珠 ,  高镛璇 ,  宋昌笼 ,  白贵宗 ,  韩雄

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  C11D7/32 ,  C11D7/00 ,  C11D3/00 ,  C11D1/00

CPC classification number: H01L21/02071 ,  C11D3/0084 ,  C11D7/3281 ,  C11D11/0047 ,  C23G1/106

Abstract: 一种用于半导体晶片处理的腐蚀－抑制清洗组合物，包含约0.5wt％至约5wt％的浓度范围的双氧水、约1wt％至约10wt％的浓度范围的硫酸、约0.01wt％至约1wt％的浓度范围的氢氟酸；约0.1wt％至约5wt％的浓度范围的唑和去离子水。在清洗工序过程中，唑通过与金属层表面螯合抑制待清洗金属层被腐蚀。

公开(公告)号：CN116528584A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310081373.5

申请日：2023-01-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵成根 ,  朴载星 ,  金永锡 ,  金永信 ,  文大荣 ,  李锦珠 ,  郑盛旭 ,  洪成德 ,  黄水奂

IPC: H10B12/00 ,  H01L23/528 ,  H01L23/48

Abstract: 提供了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：基底，包括单元区域和由单元区域的外围部限定的外围区域，单元区域包括虚设单元区域和正常单元区域以及由单元元件隔离膜限定的有源区域。所述装置还包括在基底中限定单元区域的单元区域分离膜，虚设单元区域在正常单元区域与单元区域分离膜之间与单元区域分离膜限定边界。所述装置还包括：正常位线，位于正常单元区域上并且在第一方向上延伸；虚设位线组，位于虚设单元区域上，虚设位线组包括在第一方向上延伸的多条虚设位线；以及多个存储接触件，连接到有源区域并且沿着与第一方向垂直的第二方向定位。