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公开(公告)号:CN1211708C
公开(公告)日:2005-07-20
申请号:CN00118160.2
申请日:2000-03-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/023
CPC classification number: G03F7/0236
Abstract: 本发明公开了一种具有改善的感光度和分辨率的正性光刻胶组合物,该组合物的制备方法,以及在半导体工艺中使用该组合物形成图纹的方法。该光刻胶组合物包括:(i)由用分子式(1)表示的第一种感光化合物和用分子式(2a)或(2b)表示的第二种感光化合物混合得到的感光物质;(ii)树脂;和(iii)溶剂。由于该光刻胶组合物的高感光度和高分辨率,本发明可以制作具有特别优异轮廓的图纹。
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公开(公告)号:CN1282004A
公开(公告)日:2001-01-31
申请号:CN00118160.2
申请日:2000-03-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/012
CPC classification number: G03F7/0236
Abstract: 本发明公开了一种具有改善的感光度和分辨率的正性光刻胶组合物,该组合物的制备方法,以及在半导体工艺中使用该组合物形成图纹的方法。该光刻胶组合物包括:(i)由用分子式(1)表示的第一种感光化合物和用分子式(2a)或(2b)表示的第二种感光化合物混合得到的感光物质;(ii)树脂;和(iii)溶剂。由于该光刻胶组合物的高感光度和高分辨率,本发明可以制作具有特别优异轮廓的图纹。
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公开(公告)号:CN1097091C
公开(公告)日:2002-12-25
申请号:CN97109669.4
申请日:1997-03-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 在制造半导体过程中的清洗剂制品的包括乳酸乙酯(EL)和3-乙氧基丙酸乙酯(EEP),最好,它还包括γ-丁内酯。因此,晶片边缘或背侧的光刻胶能以足够快的速度有效地除去,因而可以提高半导体器件的成品率。另外,可完全除去的附着在表面上的残留光刻胶,以便能再利用该晶片,因而获得晶片的再利用和经济用途。
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