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公开(公告)号：CN119890176A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202410942798.5
申请日：2024-07-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H10B80/00
Abstract: 提供了半导体芯片和半导体封装。半导体芯片包括：基板；堆叠在基板上的第一层间绝缘层、多孔绝缘层和第二层间绝缘层；下焊盘，在第二层间绝缘层上并且在垂直方向上具有第一厚度；第三层间绝缘层和第四层间绝缘层，堆叠在下焊盘和第二层间绝缘层上；上焊盘，在第四层间绝缘层上并且在垂直方向上具有大于第一厚度的第二厚度；以及通路结构，在第四层间绝缘层和第三层间绝缘层中并且电连接下焊盘和上焊盘。每个通路结构包括在第三层间绝缘层中的第一通路和在第四层间绝缘层中并在垂直方向上与第一通路重叠的第二通路。
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