公开(公告)号：CN1113348A

公开(公告)日：1995-12-13

申请号：CN95103297.6

申请日：1995-03-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李圭灿

IPC: H01L27/10

CPC classification number: G11C29/50 ,  G11C11/401

Abstract: 本发明的半导体集成电路配备有应力电路，所说的应力电路包括：在同一芯片试验动作时输出启动信号，启动试验动作的应力启动电路；在试验动作时响应应力启动电路的输出信号；供给第一应力电压和第二应力电压的应力电压供给电路；供给第一应力电压和第二应力电压的应力电压供给电路；输入第一应力电压和第二应力电压，并在试验动作时响应上述输入，使上述读出放大器控制电路和动作延迟的读出延迟控制电路。

公开(公告)号：CN103489474B

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201310218479.1

申请日：2013-06-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金惠珍 ,  姜相圭 ,  孙东贤 ,  金东珉 ,  李圭灿

IPC: G11C11/16

CPC classification number: G11C11/1675 ,  G11C5/147 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1653 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1697

Abstract: 一种磁随机存取存储器MRAM包括自旋转移扭矩磁随机存取存储器（STT‑MRAM）单元的存储单元阵列、以及公共连接到多个STT‑MRAM单元的源极线。源极线电压产生器响应于外部电源电压产生源极线驱动电压，并且将源极线驱动电压提供给源极线。

公开(公告)号：CN103489474A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310218479.1

申请日：2013-06-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金惠珍 ,  姜相圭 ,  孙东贤 ,  金东珉 ,  李圭灿

IPC: G11C11/16

CPC classification number: G11C11/1675 ,  G11C5/147 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1653 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1697

Abstract: 一种磁随机存取存储器MRAM包括自旋转移扭矩磁随机存取存储器（STT-MRAM）单元的存储单元阵列、以及公共连接到多个STT-MRAM单元的源极线。源极线电压产生器响应于外部电源电压产生源极线驱动电压，并且将源极线驱动电压提供给源极线。

公开(公告)号：CN1041975C

公开(公告)日：1999-02-03

申请号：CN95103297.6

申请日：1995-03-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李圭灿

IPC: H01L27/10 ,  G11C29/00

CPC classification number: G11C29/50 ,  G11C11/401

Abstract: 本发明的半导体集成电路配备有应力电路，所说的应力电路包括：在同一芯片试验动作时输出启动信号，启动试验动作的应力启动电路；在试验动作时响应应力启动电路的输出信号，供给第一应力电压和第二应力电压的应力电压供给电路；供给第一应力电压和第二应力电压的应力电压供给电路；输入第一应力电压和第二应力电压，并在试验动作时响应上述输入，使上述读出放大器控制电路和动作延迟的读出延迟控制电路。