公开(公告)号：CN103871466A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201310675018.7

申请日：2013-12-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李升妍 ,  李永宅 ,  金甫根

IPC: G11C16/04 ,  G11C16/06

CPC classification number: G11C13/0002 ,  G11C7/00 ,  G11C7/1096 ,  G11C11/56 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72

Abstract: 本发明提供了一种非易失性存储器的驱动方法。所述驱动方法包括：将基于先前的写操作而调整的起始脉冲提供给电阻存储器单元，以写入数据；使用所述起始脉冲验证数据是否被准确地被写入；以及根据验证结果，通过增量单向写入方法或者减量单向写入方法来执行对于电阻存储器单元的写操作。还提供了相关的非易失性存储器。

公开(公告)号：CN108986861B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN201710412107.0

申请日：2017-06-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔允熙 ,  李升妍 ,  朱相炫

IPC: G11C16/08 ,  G11C16/24 ,  G11C8/08 ,  G11C7/12

Abstract: 提供了一种对非易失性存储器装置进行编程的方法。在对三维非易失性存储器装置进行编程的方法中，至少执行一次编程循环。编程循环包括用于对多个存储器单元中的被选择的存储器单元进行编程的编程步骤和用于验证被选择的存储器单元是否被编程通过的验证步骤。在对被选择的存储器单元进行编程时，可以改变施加到共同连接到所述多个存储器单元的共源极线的电压的电平。因此，在编程操作中，可以减小对共源极线进行充放电所需要的功耗，同时增大升压效率。

公开(公告)号：CN108986861A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201710412107.0

申请日：2017-06-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔允熙 ,  李升妍 ,  朱相炫

IPC: G11C16/08 ,  G11C16/24 ,  G11C8/08 ,  G11C7/12

CPC classification number: G11C16/08 ,  G11C7/12 ,  G11C8/08 ,  G11C16/24

Abstract: 提供了一种对非易失性存储器装置进行编程的方法。在对三维非易失性存储器装置进行编程的方法中，至少执行一次编程循环。编程循环包括用于对多个存储器单元中的被选择的存储器单元进行编程的编程步骤和用于验证被选择的存储器单元是否被编程通过的验证步骤。在对被选择的存储器单元进行编程时，可以改变施加到共同连接到所述多个存储器单元的共源极线的电压的电平。因此，在编程操作中，可以减小对共源极线进行充放电所需要的功耗，同时增大升压效率。

公开(公告)号：CN103871466B

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201310675018.7

申请日：2013-12-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李升妍 ,  李永宅 ,  金甫根

IPC: G11C16/04 ,  G11C16/06

CPC classification number: G11C13/0002 ,  G11C7/00 ,  G11C7/1096 ,  G11C11/56 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72

Abstract: 提供了一种非易失性存储器的驱动方法。所述驱动方法包括：将基于先前的写操作而调整的起始脉冲提供给电阻存储器单元，以写入数据；使用所述起始脉冲验证数据是否被准确地被写入；以及根据验证结果，通过增量单向写入方法或者减量单向写入方法来执行对于电阻存储器单元的写操作。还提供了相关的非易失性存储器。