公开(公告)号：CN117995245A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202311000907.3

申请日：2023-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安孝珍 ,  金成国 ,  申东右 ,  李书永 ,  李昌骏 ,  赵勳

IPC: G11C16/08 ,  G11C16/10 ,  G11C16/30 ,  G11C16/34 ,  G11C7/04

Abstract: 本公开提供了操作闪存和存储装置的方法，所述方法用于在表面安装技术(SMT)工艺之前对操作系统(OS)数据进行编程。在一些实施例中，该方法包括：擦除存储器块中的多个存储器单元；通过将预编程电压施加到结合到存储器块的字线，来减少在SMT工艺期间由于高温劣化引起的所述多个存储器单元的横向电荷损失；以及在执行SMT工艺之前，在所述多个存储器单元中执行操作系统数据的多位编程。预编程电压的施加使得所述多个存储器单元的阈值电压增大。

公开(公告)号：CN117877554A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202311313031.8

申请日：2023-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安孝珍 ,  李书永 ,  赵勋

IPC: G11C16/08 ,  G11C16/34 ,  G11C16/24

Abstract: 在一些实施例中，存储设备的操作方法包括：通过搜索耦合到多个字线中的选择字线的选择存储器单元的阈值电压分布之间的第一谷点来获得多个点；使用第一函数计算与第一参考计数值相对应的第一电压电平；使用第二函数计算与第一参考计数值相对应的第二电压电平；根据耦合到与选择字线相邻的至少一个相邻字线的每个相邻存储器单元的侵略者单元组，将选择存储器单元分类为多个耦合模式；以及基于选择存储器单元的多个耦合模式、第一电压电平和第二电压电平执行读取操作。

公开(公告)号：CN117631972A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202310714447.4

申请日：2023-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安孝珍 ,  李书永 ,  申东右 ,  李昌骏

IPC: G06F3/06 ,  G11C16/08

Abstract: 提供了存储器控制器、存储装置以及存储装置的操作方法。所述存储装置包括存储器控制器和非易失性存储器，所述方法包括：响应于读取请求，通过使用默认读取电压组从非易失性存储器读取数据来执行第一读取；以及当第一读取失败时，通过以下步骤执行第二读取：使用权重表、偏移表和位移电平计算劣化补偿电平，通过对默认读取电压组和劣化补偿电平执行运算来计算历史读取电压组，以及使用历史读取电压组读取数据，其中，权重表包括根据字线组和状态读取电压预先设置的权重，偏移表包括根据字线组和状态读取电压预先设置的偏移电平，并且位移电平与默认读取电压电平和最佳读取电压电平之间的差对应。