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公开(公告)号：CN119620926A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411024665.6
申请日：2024-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 本公开提供了存储装置以及包括存储装置的电子设备。所述存储装置包括：非易失性存储器，所述非易失性存储器包括位于用户区域、保留区域和超量供应(OP)区域中的任何一者中的多个存储块；以及存储控制器，所述存储控制器被配置为对所述多个存储块执行坏块管理操作，其中，所述存储控制器进一步被配置为：基于所述用户区域中的存储块被检测为坏块，确定坏块数是否大于最大坏块数；以及基于所述坏块数大于所述最大坏块数，来基于所述用户区域的使用比率减少所述用户区域的容量并且照原样维持所述OP区域的OP容量。
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公开(公告)号：CN112099730B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202010263658.7
申请日：2020-04-07
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
IPC: G06F3/06
Abstract: 一种访问包括存储器块的非易失性存储器件的方法，该存储器块中堆叠了包括字线的半导体层，所述方法包括：接收对存储器块的写入请求；确定该写入请求是否对应于一个或多个引导字线；响应于写入请求被确定为与引导字线相对应，在第一编程模式下对连接到所述一个或多个引导字线的存储器单元进行编程；当该写入请求被确定为对应于与引导字线不同的后续字线时，在第二编程模式下对连接到后续字线的存储器单元进行编程。利用第二编程参数执行第二编程模式，该第二编程参数包括编程脉冲的数量、编程验证脉冲的数量、编程开始电压和编程结束电压中的至少一个，该第二编程参数不同于第一编程模式的对应的第一参数。
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公开(公告)号：CN119718176A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202410794997.6
申请日：2024-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 一种储存装置和控制储存装置的方法。该储存装置包括非易失性存储器和储存控制器。非易失性存储器包括多个储存区，并且多个储存区包括具有不同类型的第一储存区和第二储存区。储存控制器基于主机装置的安全等级信息和非易失性存储器的其余储存区信息在第一储存区中对来自主机装置的数据编程。基于安全等级信息和其余储存区信息，储存控制器将在第一储存区中编程的数据迁移至第二储存区，或者将迁移至第二储存区的数据返回至第一储存区。
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公开(公告)号：CN119624740A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411241564.4
申请日：2024-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种车辆共享系统的共享车辆管理服务器及其操作方法以及一种用户数据管理服务器。被配置为允许多个用户共享和使用车辆的车辆共享系统的共享车辆管理服务器包括：接口，其被配置为从多个用户接收生物特征识别数据；存储装置，其被配置为存储通过接口接收的生物特征识别数据；以及控制器，其被配置为向每个用户分配唯一的标签号，并且使用唯一的标签号来管理每个用户的生物特征识别数据。控制器被配置为使用唯一的标签号将每个用户的生物特征识别数据存储在同一存储区域中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119621599A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202410550465.8
申请日：2024-05-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/02 , G06F12/0882 , G06F3/06
Abstract: 在一种操作包括至少一个引导逻辑单元(LU)的存储装置的方法中，接收检查存储在至少一个引导LU中的引导代码是否被碎片化的第一请求。响应于第一请求，输出包括第一信息的第一响应。第一信息指示引导代码是否被碎片化。当基于第一信息确定出引导代码被碎片化时，接收对引导代码执行碎片整理的第二请求。响应于第二请求对引导代码执行碎片整理，使得引导代码具有物理连续性。
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公开(公告)号：CN119785849A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411346391.2
申请日：2024-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10 , G11C11/406
Abstract: 提供一种储存设备，包括：存储设备，包括多个存储块，每个存储块包括多个存储单元；控制器，被配置为响应于从主机接收的写入请求控制存储设备的编程操作；以及温度传感器，被配置为测量内部温度，其中，控制器还被配置为基于由温度传感器测量的第一温度，将多个存储块中的一个存储块激活为风险块，并且然后使用风险块控制高可靠性编程操作，或者将多个存储块中的一个存储块激活为第一正常块，并且然后使用第一正常块控制正常编程操作。
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公开(公告)号：CN117093137A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202310556069.1
申请日：2023-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 提供了一种主机系统以及嵌入式存储装置和主机装置的操作方法。主机系统包括：易失性存储器装置，其被配置为存储第一临时数据；嵌入式存储装置，其被配置为存储第二临时数据；以及主机装置，其被配置为响应于与新的临时数据关联的事件的检测信号确定将新临时数据发送到易失性存储器装置以用于作为第一临时数据存储在其中还是发送到嵌入式存储装置以用于作为第二临时数据存储在其中。嵌入式存储装置包括：至少一个非易失性存储器装置，其具有在其中存储第二临时数据的缓冲区域、以及用户区域；以及控制器，其被配置为控制所述至少一个非易失性存储器装置，使得缓冲区域中的第二临时数据响应于主机装置的刷新请求被复制到用户区域。
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公开(公告)号：CN119718180A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411215922.4
申请日：2024-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储设备，包括存储器设备，存储器设备包括多个存储器块、测量存储设备的内部温度的温度传感器、以及控制器，其中，温度传感器测量在将数据编程在多个存储器块中的时间点处的编程温度，并且控制器存储编程存储器块的编程温度，其中，控制器将编程在多个存储器块中的数据被读取失败的至少一个存储器块确定为错误块，当错误块的编程温度和读取尝试温度落在驱动保证温度范围内时，控制器被配置为计算错误块的编程温度与读取尝试温度之间的温度差，将温度差与保证大小进行比较，以将错误块登记为坏块或刷新候选块。
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公开(公告)号：CN112099730A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010263658.7
申请日：2020-04-07
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
IPC: G06F3/06
Abstract: 一种访问包括存储器块的非易失性存储器件的方法，该存储器块中堆叠了包括字线的半导体层，所述方法包括：接收对存储器块的写入请求；确定该写入请求是否对应于一个或多个引导字线；响应于写入请求被确定为与引导字线相对应，在第一编程模式下对连接到所述一个或多个引导字线的存储器单元进行编程；当该写入请求被确定为对应于与引导字线不同的后续字线时，在第二编程模式下对连接到后续字线的存储器单元进行编程。利用第二编程参数执行第二编程模式，该第二编程参数包括编程脉冲的数量、编程验证脉冲的数量、编程开始电压和编程结束电压中的至少一个，该第二编程参数不同于第一编程模式的对应的第一参数。
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