公开(公告)号：CN118250995A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202311743410.0

申请日：2023-12-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金台原 ,  朴舒禧 ,  卓容奭 ,  姜旻炅 ,  许埈宁

IPC: H10B12/00 ,  H10B53/30 ,  H01L23/528

Abstract: 一种半导体器件包括：线结构，在下部结构上，并且包括导电图案和在导电图案上的绝缘封盖图案；接触结构，包括下部和在下部上的上部，该下部与线结构的侧表面相邻；在接触结构的下部的侧表面和线结构的侧表面之间的间隔物结构；在间隔物结构上的绝缘分离图案；以及在接触结构的上部和绝缘分离图案之间的保护层。间隔物结构包括内部间隔物、外部间隔物以及在内部间隔物和外部间隔物之间的气隙。内部间隔物和外部间隔物的由气隙暴露的区域包括氧化物。绝缘分离图案密封气隙的上部的至少一部分。

公开(公告)号：CN117650123A

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202311129011.5

申请日：2023-09-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金台原 ,  朴舒禧 ,  卓容奭 ,  姜旻炅 ,  许埈宁

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/532

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括导电图案和设置在导电图案的侧表面上的间隔件结构。间隔件结构包括与导电图案的侧表面接触的内部间隔件、与导电图案的侧表面间隔开的外部间隔件、以及设置在内部间隔件与外部间隔件之间的气隙。内部间隔件包括被气隙暴露的内部氧化区域。内部氧化区域中的氧浓度具有氧浓度在远离气隙的方向上降低的梯度。

公开(公告)号：CN118540936A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202311334162.4

申请日：2023-10-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜旻炅 ,  朴舒禧 ,  卓容奭 ,  许埈宁

IPC: H10B12/00

Abstract: 本公开涉及一种半导体装置及其制造方法，并且根据实施例的半导体装置包括：衬底，其包括由元件隔离层限定的有源区；与有源区交叉的字线；位线，其在与字线不同的方向上与有源区交叉；直接接触件，其连接在有源区和位线之间；连接到有源区的埋置接触件；以及位线间隔件，其设置在位线和埋置接触件之间并且包括碳。位线间隔件包括与位线相邻并具有第一碳含量的第一区和与埋置接触件相邻并具有高于第一碳含量的第二碳含量的第二区。

公开(公告)号：CN116096083A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202211356759.4

申请日：2022-11-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金台原 ,  金俞琳 ,  朴舒禧 ,  李公洙 ,  卓容奭

IPC: H10B12/00 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/24 ,  H01L29/423

Abstract: 一种半导体器件包括设置在衬底上的沟道层和形成在沟道层上面或下面的栅极结构。沟道层包括单层氧化物半导体材料，沟道层包括铟(In)、镓(Ga)和氧(O)，沟道层包括第一区域、第二区域和第三区域，第三区域接触栅极结构，第二区域在第一区域和第三区域之间，第一区域比第二区域和第三区域更靠近衬底，第一区域和第三区域中的每个具有比In浓度高的Ga浓度，并且第二区域具有比Ga浓度高的In浓度。