公开(公告)号：CN105821385B

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN201510817454.2

申请日：2015-11-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴恩洙 ,  朴今焕 ,  朴辰晩 ,  洪锡武 ,  赵晟祜 ,  朴明宽 ,  沈载原

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/06

Abstract: 提供了一种非晶和纳米氮化物复合薄膜、一种用于形成其的方法和一种具有其的电子装置。所述非晶和纳米氮化物复合薄膜具有复合结构，在复合结构中，包括作为氮化物构成元素的Zr和Al的氮化物相与至少一种金属相混合，其中，金属相包括从包括Cu和Ni的组中选择的至少一种元素，所述氮化物相包括晶粒尺寸在10nm至500nm的范围内的ZrN结晶相，所述ZrN结晶相的体积分数是10％或更多。

公开(公告)号：CN105821385A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201510817454.2

申请日：2015-11-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴恩洙 ,  朴今焕 ,  朴辰晩 ,  洪锡武 ,  赵晟祜 ,  朴明宽 ,  沈载原

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/06

CPC classification number: C23C14/0641 ,  C23C14/0688 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/0036

Abstract: 提供了一种非晶和纳米氮化物复合薄膜、一种用于形成其的方法和一种具有其的电子装置。所述非晶和纳米氮化物复合薄膜具有复合结构，在复合结构中，包括作为氮化物构成元素的Zr和Al的氮化物相与至少一种金属相混合，其中，金属相包括从包括Cu和Ni的组中选择的至少一种元素，所述氮化物相包括晶粒尺寸在10nm至500nm的范围内的ZrN结晶相，所述ZrN结晶相的体积分数是10％或更多。

公开(公告)号：CN117581524A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202280046761.3

申请日：2022-06-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李星协 ,  金范柱 ,  朴明宽 ,  朴正植 ,  尹汝桓 ,  李炫俣 ,  崔龙燦 ,  洪贤珠

IPC: H04M1/02

Abstract: 一种电子装置包括：壳体；第一基板，设置在所述壳体的内部空间中；导电结构，设置在与所述第一基板隔离开的位置处；第二基板，电结合到所述导电结构和所述第一基板；以及电连接构件，将所述第二基板电连接到所述导电结构。所述电连接构件可包括：第一固定部，固定到所述导电结构；第二固定部，固定到所述第二基板；以及连接部，将所述第一固定部与所述第二固定部连接。所述第一固定部包括第一弯折部和第二弯折部，所述第一弯折部从作为与所述连接部的边界区域的颈部沿第一弯折线弯折，所述第二弯折部从所述第一弯折部沿第二弯折线弯折。所述第一弯折部在变得远离所述导电结构的第一方向上弯折，并且所述第二弯折部在与所述第一方向相反的第二方向上弯折。